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業內消息稱三星將在年底推出 200 層 + NAND 閃存

作者: 來源: 2022-02-09 15:09:31 閱讀 我要評論

   全球半導體企業為了率先批量生產 200 層以上 NAND 閃存,展開了激烈的技術競爭。三星電子計劃在 2022 年底或 2023 年上半年推出 200 層以上 NAND 閃存,并在明年上半年開始批量生產。

  

閃存

 

  據 businesskorea 報道,三星電子原計劃在 2021 年末開始量產 176 層 NAND,但考慮到市場情況,推遲到了 2022 年第一季度。不過美國的美光已經開始量產 176 層 NAND,業內人士預測,三星電子將加快 200 層以上 NAND 閃存量產的步伐,以奪回被美光奪走的技術領先地位。

  業內人士稱,三星電子將在 128 層的單片存儲器上疊加 96 層,推出 224 層的 NAND 閃存。與 176 層相比,224 層 NAND 閃存的生產效率和數據傳輸速度將提高 30%。

  另外,美光和 SK 海力士也在加速 200 層以上 NAND 閃存的開發。


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